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公司簡(jiǎn)介
8 英寸硅基氮化鎵
IDM
專利數(shù)量 500+
創(chuàng)立：2015 年 12 月
員工：1000+ （R&D 250+）
基地：珠海，蘇州，
深圳
產(chǎn)品： 30V-650V
GaN FET
珠海
產(chǎn)能 : 4K 晶圓 / 月
蘇州
產(chǎn)能 : 65K 晶圓 / 月
(2021)
英諾賽科氮化鎵平臺(tái)
市場(chǎng)體系
銷售
市場(chǎng)
氮化鎵芯片產(chǎn)品
FAE
低壓
(≤200伏 )
高壓
(650 伏 )
氮化鎵
IC
射頻
RF
AE
8 英寸硅基氮化鎵 IDM 制造
器件設(shè)計(jì)
外延生長(zhǎng)
制程工藝
可靠性測(cè)試
失效分析
經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化團(tuán)隊(duì)
LG
EPC
TSMC
MPS
UMC
SMIC
TI
SAMSUNG
8 英寸的優(yōu)勢(shì)
6 英寸
晶圓面積增加 84%
8 英寸
優(yōu)勢(shì)
◆
增加有效面積，總體成本更低
◆
更優(yōu)質(zhì)的上下游產(chǎn)業(yè)鏈配套
◆
更先進(jìn)的工藝技術(shù)
◆
更高的生產(chǎn)效率
IDM 模式
IDM
模式
商業(yè)模式優(yōu)點(diǎn)
IDM 模式
◆ 集芯片設(shè)計(jì)，外延生長(zhǎng)，芯片制造，
可靠性與失效分析等于一體的全產(chǎn)業(yè)
鏈生產(chǎn)模式
◆
8 英寸硅基氮化鎵，產(chǎn)品成本
與價(jià)格具有絕對(duì)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
◆
完善的可靠性與失效分析平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)更
快的產(chǎn)品迭代升級(jí)
充足的產(chǎn)能
珠海 (4K/ 月 )
蘇州 (65K/月 )-2021
FAB
FAB
About
this
area
130m
UT
H2
Dormitory
Office
橙框內(nèi)部分
已完工 .
116m
一期
163m
二期
480m
110m
590m
設(shè)備于20年9月搬入,通線調(diào)試中 ,預(yù)計(jì)21年6月量產(chǎn)
珠海 8 英寸 CMOS 兼容的產(chǎn)線
黃光區(qū)
介質(zhì)薄膜及退火區(qū)
擴(kuò)散和離子注入?yún)^(qū)
蝕刻區(qū)
測(cè)量區(qū)
8 英寸 MOCVD GaN 外延
可靠性和失效分析實(shí)驗(yàn)室
半自動(dòng)晶圓級(jí)測(cè)試系統(tǒng)
全自動(dòng)晶圓級(jí)測(cè)試系統(tǒng)
DC HTGB/HTRB
帶監(jiān)控 HTGB/HTRB
TC
HAST
THB
系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證
Reflow oven
英諾賽科的優(yōu)勢(shì)總結(jié)
GaN 將可能取代 Si MOSFET: 市場(chǎng)前景巨大 !
◆
新的應(yīng)用機(jī)會(huì) (5G, IOT, AI, 大數(shù)據(jù) , 智慧城市等 )
◆
新的要求 : 更高的頻率，更小的尺寸
1
硅基
氮化鎵
IDM
2
Know-
How
經(jīng)驗(yàn)豐富的產(chǎn)業(yè)化團(tuán)隊(duì)
◆
外延
◆
可靠性
4
自有
晶圓廠
◆
器件設(shè)計(jì)
◆
外延生長(zhǎng)
◆
制造
◆
可靠性測(cè)試
◆
失效分析
◆
系統(tǒng)測(cè)試
3
成本優(yōu)勢(shì)
◆
自有技術(shù)專利
◆
IMEC 授權(quán)
8 英寸
制造
◆
相比 6 英寸面積增大 84%
◆
技術(shù)迭代，單顆芯片 die size 減小
◆
世界上最大的 GaN-on-Si 產(chǎn)能計(jì)劃: ① 珠海 4K/月 ② 吳江 65K/ 月(建設(shè)中)
氮化鎵為戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)帶來(lái)新的解決方案
GaN 核心
性能優(yōu)勢(shì)
高頻
開(kāi)關(guān)速度快
低阻抗／面積
高頻
與硅器件
性能對(duì)比
GaN
Si
5 倍以上優(yōu)勢(shì)
GaN
Si
10 倍以上優(yōu)勢(shì)
GaN
Si
2 倍以上優(yōu)勢(shì)
GaN
Si
2-4 倍以上優(yōu)勢(shì)
典型
應(yīng)用
快充
激光雷達(dá)
數(shù)據(jù)中心
5G
應(yīng)用
優(yōu)勢(shì)
可大幅度減小終端
應(yīng)用產(chǎn)品體積并大幅
提高功率轉(zhuǎn)化效率
開(kāi)關(guān)速度
可提高 10 倍
功率密度提升 2 倍
節(jié)能 50%
較 LDMOS
工作頻率提高 2 倍以上
產(chǎn)品
◆ 產(chǎn)品電壓等級(jí)覆蓋 40-650V，廣泛應(yīng)用于快充，激光雷達(dá)，DC-DC等領(lǐng)域，目前累計(jì)出貨量已超
六百萬(wàn)顆
WLCSP 2x2
WLCSP 2x3
WLCSP 3x5
DFN
| Vds(V) |
P/N |
Configuration |
Rds(on)(mΩ)typ. |
Id(A)cont. |
Package |
| 100 |
INN100W08 |
Single |
36 |
4 |
WLCSP 2x2 |
| INN100W12 |
Single |
6 |
16 |
WLCSP 5x3 |
| INN100L12 |
Single |
6 |
16 |
FCLGA |
| INN100W14 |
Single |
19 |
7 |
WLCSP 3x5 |
| 650 |
INN650D01 |
Single |
130 |
16.5 |
DFN 8x8 |
| INN650DA01 |
Single |
130 |
16.5 |
DFN 5x6 |
| INN650D02 |
Single |
200 |
11 |
DFN 8x8 |
| INN650D02A |
Single |
200 |
11 |
DFN 8x8 |
| INN650DA02A |
Single |
200 |
11 |
DFN 5x6 |
| INN650DA04 |
Single |
400 |
5.5 |
DFN 5x6 |
650V 氮化鎵 Roadmap
Road Map
Ron (mOhm)
400
300
200
130
80
量產(chǎn)
開(kāi)發(fā)中
50
25
30W
65W
300W
1kW
3kW
6.6kW
100V 氮化鎵 Roadmap
Ron (mOhm)
量產(chǎn)
開(kāi)發(fā)中
36
Road Map
19
激光雷達(dá)
7
4
2
300W
750W
1kW
廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域
消費(fèi)
工業(yè)
汽車
快充
無(wú)人機(jī)
D 類功放
5G
AI
數(shù)據(jù)中心
光伏
航天
自動(dòng)駕駛
OBC
方案和 Demo
65W 超薄 PD Demo
65W 超小 PD Demo
100W 2C2A Demo
65W A+2C Demo
尺寸：
26mm*27mm*44mm
功率密度： 34W/in3
尺寸：
50mm*56mm*13mm
功率密度： 29W/in3
尺寸： 46mm*46mm*23mm
功率密度： 21.8W/in3
尺寸：
56mm*71mm*22.5mm
功率密度： 18W/in3
Demo 板目錄：
| Demo編號(hào) |
輸出功率/(接口) |
拓?fù)?/th>
|
| DMB001 |
60W/(單C) |
QR flyback |
| DMB002 |
65W/(單C 超薄) |
QR flyback |
| DMB003 |
65W/(A+C) |
QR flyback + buck |
| DMB004 |
100W/(單C) |
QR flyback |
| DMB005 |
100W/(2A+2C) |
Boost PFC + QR flyback + buck |
| DMB006 |
65W/(單C 超小) |
QR flyback |
| DMB007 |
200W/(2A+3C) |
Boost PFC + LLC + buck |
| DMB008 |
20W/(單C) |
QR flyback |
| DMB009 |
30W/(單C) |
QR flyback |
| DMB012 |
120W/(單C) |
Boost PFC + ACF |
| DMB013 |
200W/(LED Driver) |
Boost PFC + LLC |
| DMB014 |
150W/(LED Driver) |
Boost PFC + LLC |
| DMB015 |
65W/(A+2C) |
QR flyback + buck |
|
貿(mào)易類